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SamMobile 消息称，ASML 将于未来几个月内推出用于 2nm 制程节点的芯片制造设备，将数值孔径（NA）光学性能从0.33提高到0.55，三星计划在2025年底开始生产2nm芯片。
据称，ASML 明年规划产能仅有10台，而英特尔已经预订了其中6台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年20 台。
目前，ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款—NXE:3600D和 NXE:3400C，均配备0.33NA的反射式投影光学器件及13.5nm EUV 光源，分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。
ASML发言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系统，具有更高的光刻分辨率，可将芯片缩小1.7分之一，同时密度增加至2.9倍。
之前有报道显示，ASML 第一台0.55NA EUV光刻机计划于2025年后量产，第一台将交付给英特尔。
英特尔发言人称，公司将成为ASML第一台EXE:5200的买家。与EXE:5000相比，EXE:5200 预计将带来几项改进，包括更高的生产率等等。
根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的预测，0.55 NA EUV 光刻机单价将翻番到3亿美元（备注：当前约 21.42 亿元人民币）。
（来源：IT之家 ，如有侵权请联系删除）
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